發(fā)明專利名稱： 超高純金屬鎵的制備方法

發(fā)明人： 許開華;郭學(xué)益

專利號： ZL200310115208.X

專利權(quán)人：深圳市格林美高新技術(shù)有限公司;中南大學(xué)

授權(quán)公告日： 2005.05.25

摘要：本發(fā)明提供一種超高純金屬鎵的制備方法，其包括低溫電解提純和區(qū)域熔煉提純兩個過程，電解在0～15℃的低溫下進行，通直流電，電流密度在0.2～0.05A/cm2，電解槽的槽電壓為2.0～3.0V，電解液中NaOH的濃度為30～150g/L，NaCl的濃度為10～80g/L，Ga的濃度為20～100g/L。由粗鎵制作的陽極和析出精制金屬鎵的陰極均處于固體狀態(tài)。再將電解得精制鎵作區(qū)域熔煉再次提純，將陰極鎵置于管式爐中，在管式爐外裝置的加熱環(huán)上通入電流2000～10000A、電壓10～36V、頻率10000Hz的高頻電，加熱環(huán)發(fā)出熱量，使該加熱環(huán)以1～3cm/hr的速度從管式爐的一端向另一端移動；該移動過程重復(fù)進行2～10次。在該兩個過程中可以將99.99％的粗鎵提純到99.9999～99.99999％的超高純金屬鎵。本方法可使電解設(shè)備結(jié)構(gòu)變得簡單，電解操作方便且易于控制。整體設(shè)備的投資僅是現(xiàn)有設(shè)備的1/5。