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國(guó)家發(fā)明專利:一種引導(dǎo)晶體生長(zhǎng)制備高致密度、高電導(dǎo)率石榴石型電解質(zhì)片的方法

來源:  發(fā)布時(shí)間:2021年08月03日 作者:

專利名稱:一種引導(dǎo)晶體生長(zhǎng)制備高致密度、高電導(dǎo)率石榴石型電解質(zhì)片的方法法

專利類型:國(guó)家發(fā)明專利

申請(qǐng)人:江西理工大學(xué)

發(fā)明人:李棟、賴華、雷超、姚文俐、梁彤祥、鐘盛文

專利號(hào):201811016882.5

授權(quán)公告日:2021.8.3




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